Завершенные
#32912

Задание на тему «Исследование свойств биполярного транзистора»

Похожие заявки
Решение задач, Математика
Бюджет: По договоренности
Решение задач, Математика
Бюджет: По договоренности
Решение задач, Геодезия
Бюджет: По договоренности
Создан:
16 февраля 2023
Срок сдачи:
30 ноября -0001
Бюджет:
500 руб.
Предмет:
Другое
Тип работы:
Решение задач
Вуз:
Объем:
от 1 до 4 стр.
Шрифт:
Интервал:
Оригинальность:
%
Описание:
Задание №1

1. Выполнить аналитический расчет эквивалентной малосигнальной схемы БТ для включения с общим эмиттером. Расчет выполнить для транзистора в соответствии с вариантом в таблице 1. Для расчета использовать типовые данные об электрических характеристиках из спецификации на соответствующий транзистор.

Задать: а) типовые параметры рабочей точки на выходной ВАХ в соответствии со спецификацией для заданного транзистора по варианту;

Рассчитать: а) дифференциальное входное сопротивление rБЭ; б) дифференциальное выходное сопротивление rКЭ; в) крутизну S.

Таблица 1 – Варианты

2. Для модели заданного транзистора в САПР построить зависимость коэффициента усиления входного тока hfe от тока коллектора в схеме ОЭ. По построенной зависимости определить значение hfe для выбранного по спецификации тока коллектора в рабочей точке.

3. Для модели заданного транзистора в САПР в схеме включению ОЭ построить зависимость входного тока базы от входного напряжения база-эмиттер. По графику графическим способом определить дифференциальное входное сопротивление h11.

4. Для модели заданного транзистора в САПР в схеме включению ОЭ построить зависимость выходного тока коллектора от выходного напряжения коллектор-эмиттер. По графику графическим способом определить значение дифференциальной выходной проводимости h22.

Отчет по 1-му заданию должен содержать: а) общий вид эквивалентной малосигнальной схемы БТ; б) типовые значения тока коллектора, коэффициента усиления входного тока и напряжения коллектор-эмиттер, выбранные в соответствии со спецификацией на заданной транзистор; в) расчет параметров эквивалентной малосигнальной схемы для заданного БТ; г) значения дифференциального входного и выходного сопротивлений, определенных аналитически (rБЭ, rКЭ) и графически (h11, 1/ h22).

Задание №2. Расчет схем по постоянному току на биполярном транзисторе.

Произвести расчет по постоянному току схем на рис. 18, 19, 20, 21. При расчете задать напряжение коллектор-эмиттер UКЭ, ток коллектора IК в соответствии с параметрами рабочей точки на выходной ВАХ, определенные в задании №1; значение hfe принять равным значению,

определенному по зависимости коэффициента усиления входного тока hfe от тока коллектора в схеме ОЭ. Напряжение питанияUП схем задать равным значению UКЭ, увеличенному в 2 раза.

Отчет по 2-му заданию должен содержать: а) расчетные выражения и собственно сам расчет по постоянному току для каждой из схем рис. 18, 19, 20, 21; б) результаты моделирования в САПР рассчитанных схем по постоянному току, подтверждающие корректность выполненных расчетов.

Задание №3. Расчет схем по переменному току на биполярном транзисторе.

Произвести расчет по переменному току схемы ОЭ на рис. 25. Режим по постоянному току должен соответствовать параметрам рассчитанной схемы на рисунке 20. Требования термостабильности не

учитываем. Исходные данные для расчета параметров каскада необходимо взять в таблице 2 в соответствии с номером варианта.

Таблица 2 – Данные для задания №3

и в таблице 2 соответствуют действущим величинам напряжения на нагрузке и источнике сигнала. В вариантах задания, где вместо задана мощность в нагрузке , следует действующее значения напряжения на нагрузке найти из величины . Знаком в таблице 2 обозначен параметр, который должен быть найден в результате расчета свойств усилительного каскада по переменному току с учетом и . Расчет следует произвести для всех вариантов включения БТ по переменному току.

Отчет по 3-му заданию должен содержать: а) расчетные выражения и собственно сам расчет сквозного коэффициента передачи по

напряжению, входного и выходного сопротивлений; б) результаты моделирования в САПР амплитудно-частотной характеристики; в) результаты моделирования в САПР осциллограмм на входе и на нагрузке схемы; г) результаты моделирования в САПР графиков входного и выходного сопротивлений от частоты.
Узнай стоимость помощи по твоей работе
На нашем сервисе более 1000 профессиональных исполнителей, которые готовы выполнить ваше задание. Опишите его и получите их предложения с ценой.
Предложения (0)